Name: onsemi MTD10N10ELT4
Brand: onsemi
SKU: MTD10N10ELT4
Availability: InStock
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onsemi MTD10N10ELT4

Artikelnummer:

MTD10N10ELT4

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Datenblätte:

1.MTD10N10ELT4.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Devices 01/Jul/2005.pdf onsemi RoHS.pdf MTD10N10EL.pdf

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RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi MTD10N10ELT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MTD10N10ELT4.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±15V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	DPAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 5A, 5V
Verlustleistung (max)	1.75W (Ta), 40W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)
Grundproduktnummer	MTD10
MTD10N10ELT4 Einzelheiten PDF [English]	MTD10N10ELT4 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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